キヤノン ナノインプリントリソグラフィ技術を使用した半導体製造装置を発売
OAライフキヤノン 2023年10月13日発表
キヤノンは、半導体デバイスの製造で最も重要な回路パターンの転写を担うナノインプリント半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を10月13日に発売した。これまでの投影露光技術とは異なる方式でパターンを形成するナノインプリントリソグラフィ(NIL)技術を使用した半導体製造装置を市場投入することで、半導体製造装置のラインアップを拡充し、最先端から従来の半導体デバイスまでの幅広いユーザーのニーズに応える。
従来の投影露光装置は、ウエハー上に塗布されたレジスト(樹脂)に光を照射し回路を焼き付けるのに対し、新製品はウエハー上のレジストに回路パターンを刻み込んだマスク(型)をハンコのように押し付けて回路パターンを形成する。光学系という介在物がないため、マスク上の微細な回路パターンを忠実にウエハー上に再現できる。そのため、複雑な2次元、3次元の回路パターンを1回のインプリントで形成することも可能で、CoOの削減に貢献する。キヤノンのNIL技術は、既存の最先端ロジック半導体製造レベルの5ナノノードにあたる最小線幅14nmのパターン形成ができる。さらに、マスクを改良することにより、2ナノノードにあたる最小線幅10nmレベルへの対応も期待されている。
■NIL技術による最先端半導体デバイス製造を実現
装置内の微粒子の発生や混入を抑制する新開発の環境制御技術を採用している。これにより、多層化する半導体製造に必要な高精度の位置合わせや微粒子などによる欠陥の低減を実現し、微細かつ複雑な回路形成が可能となり、最先端の半導体デバイス製造に貢献する。
■シンプルな構造による環境対応
投影露光装置のように光源の波長による微細化を必要としないため、既存の最先端ロジック向け露光技術(5ナノノード/線幅15nm)における消費電力は、投影露光装置と比べ大幅に削減でき、CO2の低減にも貢献する。
■半導体デバイス以外の製造にも対応可能
3次元のパターンを1回で形成できることから、ロジックやメモリーなどの半導体デバイス以外として、数十nmの微細構造であるXR向けのメタレンズなどの製造など、幅広い用途に活用できる。
